Hiệu ứng từ điện trở khổng lồ lần đầu tiên được phát hiện năm 1988 bởi nhóm của Fert và Gruenberg, đó là hiện tượng xảy ra sự thay đổi lớn về điện trở của các màng đa lớp kiểu "bánh kẹp" (sandwich) với các lớp sắt từ xen kẽ các lớp phi từ dưới tác dụng của từ trường ngoài. Hiệu ứng này được gọi là "Từ điện trở khổng lồ" không chỉ do sự thay đổi lớn về giá trị mà do cơ chế, đó là cơ chế tán xạ phụ thuộc spin của điện tử. Điện trở của vật liệu là do sự đóng góp của các yếu tố: tán xạ trên mạng tinh thể, tán xạ trên spin và tán xạ trên sai hỏng. Và các điện tử có spin định hướng khác nhau (up và down) sẽ tán xạ khác nhau trên các lớp sắt từ dẫn đến việc thay đổi về điện trở của mẫu. Phát hiện này đã mở ra một ngành mới là "spintronics" (điện tử học spin), cho phép chế tạo các linh kiện hoạt động bằng cách điều khiển sự phân cực của spin điện tử (giống như việc dùng điện trường để điều khiển hạt dẫn là điện tử trong các linh kiện điện tử truyền thống). Các nhà khoa học tin rằng đây sẽ là thế hệ linh kiện điện tử cho tương lai với tốc độ truyền dẫn thông tin cực nhanh và khả năng lưu trữ thông tin lớn. Phát hiện này ngay lập tức được ứng dụng trong các đầu đọc ghi của ổ cứng, làm tăng tốc độ đọc ghi thông tin và tăng mật độ lưu trữ cho ổ đĩa cứng. Albert Fert là nhà khoa học ở Đại học Paris-Sud, Orsay, Pháp. Ông nhận bằng tiến sĩ vật lý năm 1970, sau đó làm trợ lý giáo sư và được bổ nhiệm vị trí giáo sư năm 1976. Còn Peter Gruenberg nhận học vị tiến sĩ năm 1969 ở Đại học Kỹ thuật Darmstadt (Đức) và sau đó tham gia nhóm nghiên cứu của Viện Vật lý Chất rắn (Trung tâm Nghiên cứu Juelich, Đức) năm 1972. (Theo vatlyvietnam.org)